TY  - RPRT
TI  - Strain determination in the Si channel above a single SiGe island inside a field effect transistor using nanobeam x-ray diffraction
AU  - N. Hrauda
AU  - J. J. Zhang
AU  - E. Wintersberger
AU  - T. Etzelstorfer
AU  - J. Stangl
AU  - D. Carbone
AU  - C. Biasotto
AU  - V. Jovanovic
AU  - L. K. Nanver
AU  - J. Moers
AU  - D. Grützmacher
AU  - G. Bauer
PY  - 2010
UR  - https://arxiv.org/abs/1011.3978
ID  - 1011.3978
ER  -