TY  - RPRT
TI  - The effect of (NH4)2Sx passivation on the (311)A GaAs surface and its use in AlGaAs/GaAs heterostructure devices
AU  - D. J. Carrad
AU  - A. M. Burke
AU  - P. J. Reece
AU  - R. W. Lyttleton
AU  - D. E. J. Waddington
AU  - A. Rai
AU  - D. Reuter
AU  - A. D. Wieck
AU  - A. P. Micolich
PY  - 2013
UR  - https://arxiv.org/abs/1212.0930
ID  - 1212.0930
ER  -