TY  - RPRT
TI  - 20-80nm Channel Length InGaAs Gate-all-around Nanowire MOSFETs with EOT=1.2nm and Lowest SS=63mV/dec
AU  - J. J. Gu
AU  - X. W. Wang
AU  - H. Wu
AU  - J. Shao
AU  - A. T. Neal
AU  - M. J. Manfra
AU  - R. G. Gordon
AU  - P. D. Ye
PY  - 2012
UR  - https://arxiv.org/abs/1212.4227
ID  - 1212.4227
ER  -