TY  - RPRT
TI  - High Electron Mobility in Epitaxial Graphene on 4H-SiC(0001) via post-growth annealing under hydrogen
AU  - E. Pallecchi
AU  - F. Lafont
AU  - V. Cavaliere
AU  - F. Schopfer
AU  - D. Mailly
AU  - W. Poirier
AU  - A. Ouerghi
PY  - 2014
UR  - https://arxiv.org/abs/1403.5059
ID  - 1403.5059
ER  -