TY  - RPRT
TI  - Extremely high mobility over 5000 cm2/Vs obtained from MoS2 nanosheet transistor with NiOx Schottky gate
AU  - Hee Sung Lee
AU  - Seung Su Baik
AU  - Sung-Wook Min
AU  - Pyo Jin Jeon
AU  - Jin Sung Kim
AU  - Kyujin Choi
AU  - Sunmin Ryu
AU  - Hyoung Joon Choi
AU  - Jae Hoon Kim
AU  - Seongil Im
PY  - 2014
UR  - https://arxiv.org/abs/1406.6779
ID  - 1406.6779
ER  -