TY  - RPRT
TI  - Ge incorporation inside 4H-SiC during Homoepitaxial growth by chemical vapor deposition
AU  - Kassem Alassaad
AU  - Véronique Soulière
AU  - François Cauwet
AU  - Hervé Peyre
AU  - Davy Carole
AU  - Pawel Kwasnicki
AU  - Sandrine Juillaguet
AU  - Thomas Kups
AU  - Jörg Pezoldt
AU  - Gabriel Ferro
PY  - 2014
UR  - https://arxiv.org/abs/1407.3222
ID  - 1407.3222
ER  -