TY  - RPRT
TI  - High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: growth conditions, strain relaxation and In incorporation kinetics
AU  - S. Valdueza-Felip
AU  - E. Bellet-Amalric
AU  - A. Núñez-Cascajero
AU  - Y. Wang
AU  - M. -P. Chauvat
AU  - P. Ruterana
AU  - S. Pouget
AU  - K. Lorenz
AU  - E. Alves
AU  - E. Monroy
PY  - 2015
DO  - 10.1063/1.4903944
UR  - https://arxiv.org/abs/1410.5659
ID  - 1410.5659
ER  -