TY  - RPRT
TI  - The formation of the positive, fixed charge at c-Si(111)/a-Si$_3$N$_{3.5}$:H interfaces
AU  - L. E. Hintzsche
AU  - C. M. Fang
AU  - M. Marsman
AU  - M. W. P. E. Lamers
AU  - A. W. Weeber
AU  - G. Kresse
PY  - 2015
DO  - 10.1103/physrevapplied.3.064005
UR  - https://arxiv.org/abs/1501.03674
ID  - 1501.03674
ER  -