TY  - RPRT
TI  - MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: effect of substrate miscut on layer quality
AU  - J. Lemettinen
AU  - H. Okumura
AU  - I. Kim
AU  - C. Kauppinen
AU  - T. Palacios
AU  - S. Suihkonen
PY  - 2018
DO  - 10.1016/j.jcrysgro.2018.02.013
UR  - https://arxiv.org/abs/1811.03528
ID  - 1811.03528
ER  -