TY  - RPRT
TI  - Gate Leakage Suppression and Breakdown Voltage Enhancement in p-GaN HEMTs using Metal/Graphene Gates
AU  - Guangnan Zhou
AU  - Zeyu Wan
AU  - Gaiying Yang
AU  - Yang Jiang
AU  - Robert Sokolovskij
AU  - Hongyu Yu
AU  - Guangrui
AU  - Xia
PY  - 2019
DO  - 10.1109/ted.2020.2968596
UR  - https://arxiv.org/abs/1908.00119
ID  - 1908.00119
ER  -