TY  - RPRT
TI  - Effect of high temperature annealing (T > 1650°C) on the morphological and electrical properties of p-type implanted 4H-SiC layers
AU  - Monia Spera
AU  - Domenico Corso
AU  - Salvatore Di Franco
AU  - Giuseppe Greco
AU  - Andrea Severino
AU  - Patrick Fiorenza
AU  - Filippo Giannazzo
AU  - Fabrizio Roccaforte
PY  - 2021
DO  - 10.1016/j.mssp.2019.01.019
UR  - https://arxiv.org/abs/2001.08021
ID  - 2001.08021
ER  -