TY  - RPRT
TI  - 2.5-kV AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode on Silicon Substrate with Recessed-anode Structure
AU  - Ru Xu
AU  - Peng Chen
AU  - Menghan Liu
AU  - Jing Zhou
AU  - Yunfei Yang
AU  - Yimeng Li
AU  - Cheng Ge
AU  - Haocheng Peng
AU  - Bin Liu
AU  - Zili Xie
AU  - Rong Zhang
AU  - Youdou Zheng
PY  - 2020
DO  - 10.1016/j.sse.2020.107953
UR  - https://arxiv.org/abs/2007.03163
ID  - 2007.03163
ER  -