TY  - RPRT
TI  - On the suitability of hBN as an insulator for 2D material-based ultrascaled CMOS devices
AU  - Theresia Knobloch
AU  - Yury Yu. Illarionov
AU  - Fabian Ducry
AU  - Christian Schleich
AU  - Stefan Wachter
AU  - Thomas Müller
AU  - Michael Waltl
AU  - Mario Lanza
AU  - Mikhail I. Vexler
AU  - Mathieu Luisier
AU  - Tibor Grasser
PY  - 2020
DO  - 10.1038/s41928-020-00529-x
UR  - https://arxiv.org/abs/2008.04144
ID  - 2008.04144
ER  -