TY  - RPRT
TI  - Understanding the role of threading dislocations on 4H-SiC MOSFET breakdown under high temperature reverse bias stress
AU  - P. Fiorenza
AU  - M. Alessandrino
AU  - B. Carbone
AU  - C. Di Martino
AU  - A. Russo
AU  - M. Saggio
AU  - C. Venuto
AU  - E. Zanetti
AU  - F. Giannazzo
AU  - F. Roccaforte
PY  - 2020
DO  - 10.1088/1361-6528/ab5ff6
UR  - https://arxiv.org/abs/2009.04835
ID  - 2009.04835
ER  -