TY  - RPRT
TI  - Nanoscale insights on the origin of the Power MOSFETs breakdown after extremely long high temperature reverse bias stress
AU  - P. Fiorenza
AU  - M. Alessandrino
AU  - B. Carbone
AU  - C. Di Martino
AU  - A. Russo
AU  - M. Saggio
AU  - C. Venuto
AU  - E. Zanetti
AU  - C. Bongiorno
AU  - F. Giannazzo
AU  - F. Roccaforte
PY  - 2020
DO  - 10.4028/www.scientific.net/msf.1004.433
UR  - https://arxiv.org/abs/2009.04846
ID  - 2009.04846
ER  -