TY  - RPRT
TI  - Interfacial electrical and chemical properties of deposited SiO2 layers in lateral implanted 4H-SiC MOSFETs subjected to different nitridations
AU  - Patrick Fiorenza
AU  - Corrado Bongiorno
AU  - Filippo Giannazzo
AU  - Santi Alessandrino
AU  - Angelo Messina
AU  - Mario Saggio
AU  - Fabrizio Roccaforte
PY  - 2021
DO  - 10.1016/j.apsusc.2021.149752
UR  - https://arxiv.org/abs/2012.08829
ID  - 2012.08829
ER  -