TY  - RPRT
TI  - First Demonstration of Robust Tri-Gate \b{eta}-Ga2O3 Nano-membrane Field-Effect Transistors Operated Up to 400 °C
AU  - Hagyoul Bae
AU  - Tae Joon Park
AU  - Jinhyun Noh
AU  - Wonil Chung
AU  - Mengwei Si
AU  - Shriram Ramanathan
AU  - Peide D. Ye
PY  - 2021
DO  - 10.1088/1361-6528/ac3f11
UR  - https://arxiv.org/abs/2105.01721
ID  - 2105.01721
ER  -