TY  - RPRT
TI  - Growth-related formation mechanism of I$_3$-type basal stacking fault in epitaxially grown hexagonal Ge-2H
AU  - Laetitia Vincent
AU  - Elham M. T. Fadaly
AU  - Charles Renard
AU  - Wouter H. J. Peeters
AU  - Marco Vettori
AU  - Federico Panciera
AU  - Daniel Bouchier
AU  - Erik PA. M Bakkers
AU  - Marcel A. Verheijen
PY  - 2022
UR  - https://arxiv.org/abs/2201.01999
ID  - 2201.01999
ER  -