TY  - RPRT
TI  - First-principles study of oxygen vacancy defects in orthorhombic Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$/SiO$_2$/Si gate stack
AU  - Junshuai Chai
AU  - Hao Xu
AU  - Jinjuan Xiang
AU  - Yuanyuan Zhang
AU  - Shujing Zhao
AU  - Fengbin Tian
AU  - Jiahui Duan
AU  - Kai Han
AU  - Xiaolei Wang
AU  - Jun Luo
AU  - Wenwu Wang
AU  - Tianchun Ye
PY  - 2022
DO  - 10.1063/5.0106750
UR  - https://arxiv.org/abs/2204.13864
ID  - 2204.13864
ER  -