TY  - RPRT
TI  - A Lateral AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode with 0.36 V Turn-on Voltage and 10 kV Breakdown Voltage by Using Double Barrier Anode Structure
AU  - Ru Xu
AU  - Peng Chen
AU  - Jing Zhou
AU  - Yimeng Li
AU  - Yuyin Li
AU  - Tinggang Zhu
AU  - Dunjun Chen
AU  - Zili Xie
AU  - Jiandong Ye
AU  - Xiangqian Xiu
AU  - Rong Zhang
AU  - Youdou Zheng
PY  - 2022
UR  - https://arxiv.org/abs/2206.07881
ID  - 2206.07881
ER  -