TY  - RPRT
TI  - Study and characterization of GaN MOS capacitors: planar versus trench topographies
AU  - K. Mukherjee
AU  - C. De Santi
AU  - S. You
AU  - K. Geens
AU  - M. Borga
AU  - S. Decoutere
AU  - B. Bakeroot
AU  - P. Diehle
AU  - F. Altmann
AU  - G. Meneghesso
AU  - E. Zanoni
AU  - M. Meneghini
PY  - 2022
DO  - 10.1063/5.0087245
UR  - https://arxiv.org/abs/2207.09948
ID  - 2207.09948
ER  -