TY  - RPRT
TI  - Impact of Doping and Geometry on Breakdown Voltage of Semi-Vertical GaN-on-Si MOS Capacitors
AU  - D. Favero
AU  - C. De Santi
AU  - K. Mukherjee
AU  - M. Borga
AU  - K. Geens
AU  - U. Chatterjee
AU  - B. Bakeroot
AU  - S. Decoutere
AU  - F. Rampazzo
AU  - G. Meneghesso
AU  - E. Zanoni
AU  - M. Meneghini
PY  - 2022
DO  - 10.1016/j.microrel.2022.114620
UR  - https://arxiv.org/abs/2210.10558
ID  - 2210.10558
ER  -