TY  - RPRT
TI  - Charge-Trapping-Induced Compensation of the Ferroelectric Polarization in FTJs: Optimal Conditions for a Synaptic Device Operation
AU  - R. Fontanini
AU  - M. Segatto
AU  - K. S. Nair
AU  - M. Holzer
AU  - F. Driussi
AU  - I. Häusler
AU  - C. T. Koch
AU  - C. Dubourdieu
AU  - V. Deshpande
AU  - D. Esseni
PY  - 2023
DO  - 10.1109/ted.2022.3175684
UR  - https://arxiv.org/abs/2309.01486
ID  - 2309.01486
ER  -