TY  - RPRT
TI  - First Demonstration of HZO/beta-Ga2O3 Ferroelectric FinFET with Improved Memory Window
AU  - Seohyeon Park
AU  - Jaewook Yoo
AU  - Hyeojun Song
AU  - Hongseung Lee
AU  - Seongbin Lim
AU  - Soyeon Kim
AU  - Minah Park
AU  - Bongjoong Kim
AU  - Keun Heo
AU  - Peide D. Ye
AU  - Hagyoul Bae
PY  - 2024
UR  - https://arxiv.org/abs/2407.18187
ID  - 2407.18187
ER  -