TY  - RPRT
TI  - Growth of compositionally uniform $\mathrm{In}_{x}\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{N}$ layers with low relaxation degree on GaN by molecular beam epitaxy
AU  - Jingxuan Kang
AU  - Mikel Gómez Ruiz
AU  - Duc Van Dinh
AU  - Aidan F Campbell
AU  - Philipp John
AU  - Thomas Auzelle
AU  - Achim Trampert
AU  - Jonas Lähnemann
AU  - Oliver Brandt
AU  - Lutz Geelhaar
PY  - 2024
UR  - https://arxiv.org/abs/2410.04206
ID  - 2410.04206
ER  -