TY  - RPRT
TI  - Single V2 defect in 4H Silicon Carbide Schottky diode at low temperature
AU  - Timo Steidl
AU  - Pierre Kuna
AU  - Erik Hesselmeier-Hüttmann
AU  - Di Liu
AU  - Rainer Stöhr
AU  - Wolfgang Knolle
AU  - Misagh Ghezellou
AU  - Jawad Ul-Hassan
AU  - Maximilian Schober
AU  - Michel Bockstedte
AU  - Adam Gali
AU  - Vadim Vorobyov
AU  - Jörg Wrachtrup
PY  - 2024
UR  - https://arxiv.org/abs/2410.09021
ID  - 2410.09021
ER  -