TY  - RPRT
TI  - Time Dependent Dielectric Breakdown in 4H-SiC power MOSFETs under positive and negative gate-bias and gate-current stresses at 200°C
AU  - P. Fiorenza
AU  - F. Cordiano
AU  - S. M. Alessandrino
AU  - A. Russo
AU  - E. Zanetti
AU  - M. Saggio
AU  - C. Bongiorno
AU  - F. Giannazzo
AU  - F. Roccaforte
PY  - 2024
UR  - https://arxiv.org/abs/2410.19545
ID  - 2410.19545
ER  -