TY  - RPRT
TI  - Properties of carbon-infused silicon LGAD devices after non-uniform irradiation with 24 GeV/c protons
AU  - C. Beirão da Cruz e Silva
AU  - G. Marozzo
AU  - G. Da Molin
AU  - J. Hollar
AU  - M. Gallinaro
AU  - M. Khakzad
AU  - S. Bashiri Kahjoq
AU  - K. Shchelina
PY  - 2025
DO  - 10.1016/j.nima.2025.170417
UR  - https://arxiv.org/abs/2412.13780
ID  - 2412.13780
ER  -