TY  - RPRT
TI  - Electrical and Structural Properties of In-Situ MOCVD Grown Al$_2$O$_3$/$β$-Ga$_2$O$_3$ and Al$_2$O$_3$/$β$-(Al$_x$Ga$_{1-x}$)$_2$O$_3$ MOSCAPs
AU  - A F M Anhar Uddin Bhuiyan
AU  - Lingyu Meng
AU  - Dong Su Yu
AU  - Sushovan Dhara
AU  - Hsien-Lien Huang
AU  - Vijay Gopal Thirupakuzi Vangipuram
AU  - Jinwoo Hwang
AU  - Siddharth Rajan
AU  - Hongping Zhao
PY  - 2025
DO  - 10.1063/5.0256525
UR  - https://arxiv.org/abs/2501.10628
ID  - 2501.10628
ER  -