TY  - RPRT
TI  - Holes in silicon are heavier than expected: transport properties of extremely high mobility electrons and holes in silicon MOSFETs
AU  - J. P. Wendoloski
AU  - J. Hillier
AU  - S. D. Liles
AU  - M. Rendell
AU  - Y. Ashlea-Alava
AU  - B. Raes
AU  - R. Li
AU  - S. Kubicek
AU  - C. Godfrin
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AU  - S. Beyne
AU  - D. Wan
AU  - Md. M. Rahman
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AU  - K. W. Chan
AU  - F. E. Hudson
AU  - W. H. Lim
AU  - K. De Greve
AU  - A. S. Dzurak
AU  - A. R. Hamilton
PY  - 2025
UR  - https://arxiv.org/abs/2502.21173
ID  - 2502.21173
ER  -