TY  - RPRT
TI  - Interfacial Hole Accumulation Enables Selective Free-Surface Formation in Ge-on-Si
AU  - Youcef A Bioud
AU  - Meriem Bouchilaoun
AU  - Waldemar Schreiber
AU  - Redouane Amrar
AU  - Gilles Patriarche
AU  - Ali Soltani
AU  - Stefan Janz
PY  - 2026
UR  - https://arxiv.org/abs/2611.04589
ID  - 2611.04589
ER  -